Bauelemente der Leistungselektronik

• Die grundlegenden Kenntnisse elektronischer Bauelemente sind für Techniker, Ingenieure und Fachleute auf dem Gebiet der elektrischen Antriebstechnik unerlässlich. In zahlreichen Anwendungen, im Bereich der Antriebstechnik, der Automatisierung und Energieerzeugung sind elektronische Bauelemente von großer Bedeutung. 
• Dabei steigen die Anforderungen, bei zunehmendem Kostendruck stetig an. Ein tiefes Verständnis der Halbleitertechnik und deren Halbleiterbauelemente ist entscheidend. Im Vortrag wird auf die aufbauende Funktionsweise von Dioden, Transistoren, Thyristoren, IGBTs, MOS-FETs und weiteren elektronischen Bauteilen eingegangen. 
• Für die Dimensionierung der Kühlung ist die Entstehung der Verluste entscheidend. Außerdem sind bei Halbleiterbauelementen, abhängig von den verwendeten Materialien, maximale Temperaturgrenzen einzuhalten. Abschließend wird auf Grundschaltungen der Gleichrichtung und der Wechselrichter eingegangen.

Ziel der Weiterbildung

• Sie lernen die Grundlagen der Herstellung und des Aufbaues elektronischer Bauelemente kennen.
• Sie lernen die Funktion, Wirkungsweise und Kennlinien von Dioden, Transistoren und weiterer elektronischer Bauelemente.
• Sie erfahren über die Verlustentstehung und Kühlung von Halbleiterbauelementen.
• Sie können nach dem Seminar eine grobe Dimensionierung (maximale Sperrspannung, Durchlassstrom, Temperaturen, etc.) durchführen.
• Sie lernen die relevanten Grundschaltungen für die Gleichrichtung und Wechselrichtung.

Methoden:

• Fachvortrag mit gemeinsamer Erarbeitung des Wissens auf Flipchart
• Anwendungsbeispiele aus der Praxis
• Fragerunden und Diskussion

Voraussetzungen:

• technisches Grundverständnis und Erfahrungen im technischen Umfeld sind von Vorteil
• elektrotechnisches Grundverständnis wird vorausgesetzt

Montag, 22. Juni 2026
9:00 Uhr bis 16:30 Uhr (inkl. Pausen)

Halbleiter, Herstellung und Aufbaufunktion

• Herstellung von Si- und SiC-Halbleitermaterial

Diode, Kennlinie, Funktion und deren Anwendung

• PN-Leitung
• PN-Übergang

Transistor, MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

• Kennlinie, Funktion und deren Anwendung

GTO-Thyrister (Gate turn-off Thyrister), IGBT (Insulated- Gate Bipolar Transistor)

• Kennlinie, Funktion und deren Anwendung 

Verlustentstehung und Kühlung von Halbleiterbauelementen

• Durchlass-, Schalt- und Ansteuerungsverluste

Parameter für die Dimensionierung

• max. Sperrspannung, Durchlassstrom, Temperaturen und thermischer Widerstand

Grundschaltungen für die Gleichstromtechnik

• Einweg-, Zweiweg- und Mehrwegbrückenschaltung 

Grundschaltungen für die Wechselstrom- und Drehstromtechnik

• Wechselrichter, Modulationsverfahren, Pulsfrequenz

Unterschied Silizium (Si) und Siliziumcarbit (SiC) - Halbleitermaterial